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LM358技术文章
  • 用于下一代分布电源结构的直流总线变换器和负载点电源模块技术

    渐增加占空比到50%。相类似的方法可用于全桥直流总线变换器,使用新型的ir2086s,对于高达240w,在相似的波形因素下,在满载电流下具有大约96.4%的效率。 图1显示了48v直流输入的原理图,它可用于36到75v输入电压宽范围、220w直流总线变换器电路。在初级,ir2085s 控制器和驱动器ic 驱动两个irf6644 低电荷directfet封装功率mosfet,它是100v 的n-沟道功率mosfet。初级的偏置电压通过一个线性稳压器来获得,并用于启动,然后在稳态下由变压器获得。irf7380,是双80v n-沟道功率mosfet,集成在so-8封装内,被用于获得该功能。在次级,新颖的30v n-沟道irf6612 或irf6618 directfet封装功率mosfet用于自驱动的同步整流拓扑结构中。对于12v输出应用来说,新型的40v n-沟道irf6613 可用作同步整流mosfet,这个单元在小于1/8砖的外形达到了超过96%的效率,跟传统相比,效率大约高出3-5%,体积减少了50%,是完全稳压的、板上安装的功率变换器。 在比较直流总线变换器的directfet

  • 分布式电源系统中直流母线电压变换器的选择与应用

    2085s,输出功率达到240 w,尺寸也相似,在输出电流满载时的效率大约为96.4 %。图5是直流母线电压转换器的电路图,在这个电路中,原边使用控制器和驱动器集成电路ir2085s,它推动两只 irf7493 型fet晶体管───这是新一代低电荷、80 v的n型沟道mosfet功率晶体管,它采用so-8封装。在输入电压为36 v至75 v时,这只 fet 晶体管可以换成100v的irf7495fet 晶体管。在启动时,原边的偏置电压是由一只线性稳压器产生,在稳态时,则由变压器产生原边偏置电压。irf7380中包含两个80v的 n型沟道 mosfet功率晶体管,采用so-8封装,就是用于在稳态时产生原边偏置电压。 irf6612或者 irf6618──这是使用directfet封装的新型30v、 n型沟道 mosfet功率晶体管,可以用于副边的自驱动同步整流电路。 directfet 半导体封装技术实际上消除了mosfet晶体管的封装电阻,最大程度地提高了电路的效率,处于导通状态时的总电阻很小。利用directfet 封装技术,它到印刷电路板的热阻极小,大约是1°c/w,directfe

  • 增强网络与通信系统的电源配送能力与电源散热管理芯片应用特征

    新型dc总线转换器解决方案特征(见图8所示) 它采用一个50%的占空比以及自振式控制器icir2085s,负责驱动由两个mosfet所组成的原边半桥电路irf7493。该dc总线转换器的副边由一个自驱动同步整流电路irf6603(directfet mosfet)组成。这实现了功率转换效率和功率密度的最大化,且最大限度地减少了输入和输出滤波处理,并减少元件总数和降低复杂程度。该新型dc总线转换器在8v输出条件下提供150v输出功率,效率高达96%以上。 图8中偏压电源10v至15v由irf7380产生.irf7493为so-8封装的80v mosfet。 3、结束语 新型直流总线转换器可用于增强新一代网络与通信系统的电源配送能力。 将dc总线转换器的优点可在其他系统架构中得到应用.因为并不是所有的系统架构都基于48v输入。有些需要36v至75v的通用输入工作电压。这种新型dc总线转换器芯片组能够在etsi电压范围内提供优良的性能,这是因为即使是在60v的最大输入电压条件下,额定电压为80v的irf7493mosfet仍能为dc总线转换器的额定电压提供足够的保护空间。在这种情况下,输

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